Силикон нитрид керамичка подлога за електроника

Силикон нитрид керамичка подлога за електроника

Силикон нитрид керамичка подлога за електроника е специјализиран тип на керамички материјал кој се користи во различни индустриски апликации каде што се потребни висока јачина, издржливост и термичка стабилност. Направен е од комбинација на силициум, азот и други елементи кои му даваат уникатни механички, термички и хемиски својства.

Керамичката подлога Si3N4 има исклучителна механичка сила, што ја прави високо отпорна на абење и оштетување од удар и компресија. Исто така, тој е многу отпорен на термички удари, способен да издржи брзи температурни промени без да пука или да се скрши. Ова го прави идеален за употреба во индустрии со високи температури, како што се воздушната, автомобилската индустрија и други области каде што е неопходна дисипација на топлина.

Покрај неговите механички и термички својства, керамичката подлога Si3N4 нуди и одлична електрична изолација и добра отпорност на корозија во сурови средини. Се користи во електроника и апликации за полупроводници, како што се модули за напојување и електроника со висока температура поради неговите супериорни својства за дисипација на топлина и изолација.

Генерално, керамичката подлога од силикон нитрид Si3N4 е исклучителен материјал со широк спектар на апликации. Неговата исклучителна механичка сила, топлинска стабилност, електрична изолација и хемиска отпорност го прават идеален за различни индустриски и електронски апликации каде што доверливоста и ефикасноста се клучни фактори.

Керамичка подлога Torbo® силикон нитрид за електроника

Ставка:Силициум нитрид супстрат

Материјал: Si3N4

Боја: Сива

Дебелина: 0,25-1мм

Површинска обработка: двојно полирана

Масовна густина: 3,24 g/㎤

Површинска грубост Ra: 0,4μm

Јачина на свиткување: (метод со 3 точки): 600-1000Mpa

Модул на еластичност: 310 Gpa

Цврстина на фрактура (IF метод): 6,5 MPa･√m

Топлинска спроводливост: 25°C 15-85 W/(m･K)

Фактор на диелектрична загуба:0.4

Отпорност на волумен: 25°C >1014 Ω･㎝

Јачина на дефект: DC > 15㎸/㎜